电子小知识—晶体管
![](/statics/picture/view.png)
电子小知识—晶体管
关于晶体管ON时的逆向电流
关于封装功率容许
fT: 增益带宽积、截止频率
关于晶体管ON时的逆向电流
在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。
1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的
2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。
3. 逆向晶体管有如下特点。
l hFE低(正向约10%以下)
l 耐压低(7 to 8V 与VEBO一样低)
↑通用TR的情况,除此之外,还有5V以下
(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)
l VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化
关于封装功率容许
定义:是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时,结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj=150°C)时的功率。
这里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的测试方法。
VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。
图1. 热电阻测量电路
由此,通过测定VBE,可以推测结温。
通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。
(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10V IE=100mA)
如图2:
l 测定VBE的初始值VBE1
l 对晶体管输入功率,使PN结热饱和
l VBE的后续值:测定VBE2
从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
(达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC)
因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。
图2. 进度表
fT:增益带宽积、截止频率
fT:增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。
提高基极输入频率,hFE变低。
这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。
fT指在该频率下能够工作的极限值。
但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。
测定条件如下
f: 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
IC:任意设定。我公司为一般值。